A. | 步驟①的化學(xué)方程式為:SiO2+C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+CO2↑ | |
B. | 步驟①②③中每生成或反應(yīng)1mol Si,轉(zhuǎn)移4mol電子 | |
C. | 二氧化硅能與氫氟酸反應(yīng),而硅不能與氫氟酸反應(yīng) | |
D. | SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6℃),通過(guò)蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3 |
分析 A、二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體;
B、氧化還原反應(yīng)得失電子守恒判斷即可;
C、硅能與氫氟酸反應(yīng)生成SiF4和氫氣;
D、由沸點(diǎn)可知,為相差30℃以上的兩種液體.
解答 解:A、二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體,即步驟①的化學(xué)方程式為:SiO2+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑,故A錯(cuò)誤;
B、步驟①中Si的化合價(jià)降低4,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4mol,步驟②中生成SiHCl3,化合價(jià)升高2,步驟③中每生成1mol Si,轉(zhuǎn)移2mol電子,故B錯(cuò)誤;
C、硅能與氫氟酸反應(yīng)生成SiF4和氫氣,故C錯(cuò)誤;
D、沸點(diǎn)相差30℃以上的兩種液體可以采用蒸餾的方法分離,故D正確,
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題是一道有關(guān)硅的無(wú)機(jī)推斷題,考查的知識(shí)點(diǎn)范圍較廣,涉及氧化還原反應(yīng)原理應(yīng)用、蒸餾等,可以根據(jù)已有知識(shí)進(jìn)行.
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A. | $\frac{a+b+c}{V}$molgL-1 | B. | $\frac{a+b+2c}{V}$molgL-1 | C. | $\frac{2a+b+c}{V}$molgL-1 | D. | $\frac{b+2c}{V}$molgL-1 |
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A. | 22.4 L Cl2完全溶于氫氧化鈉溶液時(shí),轉(zhuǎn)移電子數(shù)為NA | |
B. | 常溫下,1 L pH=1的H2SO4溶液中含有的H+的數(shù)目為0.2NA | |
C. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,2.24 L NH3中含有共價(jià)鍵的數(shù)目為0.3NA | |
D. | 常溫下,22.4 L NO2和N2O4的混合氣體中含有NA個(gè)氧原子 |
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