A. | SO32- | B. | OF2 | C. | GeBr2 | D. | CCl4 |
分析 VSEPR模型為四面體說明該微粒的價(jià)層電子對(duì)是4,價(jià)層電子對(duì)=σ 鍵電子對(duì)+中心原子上的孤電子對(duì),雜化類型為sp3雜化,空間構(gòu)型為V形說明該微粒中含有2個(gè)孤電子對(duì),據(jù)此分析解答.
解答 解:A.SO32-離子中的S形成3個(gè)σ 鍵,孤電子對(duì)數(shù)$\frac{6+2-2×3}{2}$=1,則S雜化類型是sp3,含有一對(duì)孤對(duì)電子,微粒構(gòu)型為三角錐型,故A錯(cuò)誤;
B.OF2分子中中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+$\frac{1}{2}$(6-2×1)=4,所以其中心原子氧原子采用sp3雜化,含有2個(gè)孤電子對(duì),微粒構(gòu)型為V型,故B正確;
C.GeBr2的熔沸點(diǎn)低,所以GeBr4是分子晶體,鍺與溴形成四個(gè)共價(jià)鍵,價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=4+$\frac{1}{2}$(4-4×1)=4,所以中心原子的雜化類型為sp3,不含孤電子對(duì),微粒構(gòu)型為正四面體型,故C錯(cuò)誤;
D.CCl4中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=4+0=4,且不含孤電子對(duì),所以CCl4為正四面體結(jié)構(gòu),故D錯(cuò)誤;
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了微粒空間構(gòu)型的判斷,先根據(jù)價(jià)層電子對(duì)判斷VSEPR模型,去掉孤電子對(duì)就是其實(shí)際空間構(gòu)型,這是高考的熱點(diǎn)、學(xué)習(xí)的重點(diǎn),題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | NaHCO3比Na2CO3熱穩(wěn)定性差 | |
B. | NaHCO3比Na2CO3與稀鹽酸反應(yīng)的速度快 | |
C. | 在相同溫度下,Na2CO3的溶解度大于NaHCO3 | |
D. | Na2CO3能使澄清石灰水變渾濁,而NaHCO3不行 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 5 | B. | 4 | C. | 3 | D. | 2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | K與F | B. | Na與F | C. | Al與Cl | D. | Mg與Cl |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 含16 g氧原子的二氧化硅晶體中含有的δ鍵數(shù)目為2NA | |
B. | 23.4 g NaCl晶體中含有0.1NA個(gè)右圖所示的結(jié)構(gòu)單元 | |
C. | 常溫常壓下,5 g D2O含有的質(zhì)子數(shù)、電子數(shù)、中子數(shù)均為2.5NA | |
D. | 2 mol SO2和1 mol O2在一定條件下反應(yīng)所得混合氣體分子數(shù)小于2NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | AlCl3溶液和Al2(SO4)3溶液加熱、蒸發(fā)、濃縮、結(jié)晶、灼燒,所得固體的成分相同 | |
B. | 配制FeCl3溶液時(shí),將FeCl3固體溶解在硫酸中,然后再用水稀釋到所需的濃度 | |
C. | TiCl4+(x+2)H2O(過量)?TiO2•xH2O↓+4HCl 工業(yè)上利用該反應(yīng)制備TiO2納米粉 | |
D. | 泡沫滅火器中常使用的原料是碳酸鈉和硫酸鋁 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 用硝酸銀溶液區(qū)分碳酸鈉和氯化鈉 | |
B. | 用硝酸鋇溶液區(qū)分碳酸鈉和硫酸鈉 | |
C. | 用氯化鈣溶液區(qū)分碳酸鈉和碳酸氫鈉 | |
D. | 用鹽酸區(qū)分氫氧化鈉和氯化鈉 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 1 | B. | 2 | C. | 3 | D. | 4 |
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