【題目】在蒸發(fā)皿中加熱蒸干并灼燒(低于400℃)下列物質(zhì)的溶液,可以得到該物質(zhì)的固體的是( )
A. 氯化鋁 B. 碳酸氫鈉 C. 硫酸鎂 D. 高錳酸鉀
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】關(guān)于生物體的組成元素,下列說法正確的是
A. C是細胞中最基本的元素,在活細胞中含量最高
B. 生物體內(nèi)C、H、O、N這四種元素的總含量最高
C. 生物體內(nèi)不同物質(zhì)的元素種類和含量均不相同
D. 糖類、脂質(zhì)和蛋白質(zhì)都含有相同比例的C、H、O
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】模擬鐵的電化學防護的實驗裝置如圖所示,下列說法不正確的是
A.若X為碳棒,開關(guān)K置于A處可減緩鐵的腐蝕
B.若X為鋅棒,開關(guān)K置于A或B處均可減緩鐵的腐蝕
C.若X為鋅棒,開關(guān)K置于B處時,鐵電極上發(fā)生的反應為2H++2e-=H2↑
D.若X為碳棒,開關(guān)K置于A處時,鐵電極上發(fā)生的反應為2H++2e-=H2↑
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途。
Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,下面是幾種常見的方法:
(1)方法一 直接氮化法:在1300~1400 ℃時,高純粉狀硅與純氮氣化合,其反應方程式為3Si+2N2Si3N4
(2)方法二 可以用NH3和SiH4(硅烷)在一定條件下反應,并在600 T的加熱基板上生成氮化硅膜,其反應方程式為___________________。
(3)方法三 化學氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是___________________。
(4)方法四 Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH2)4和一種氣體__________________(填分子式);然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為_________________。
Ⅱ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:
已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應,Y與X在光照或點燃條件下可反應,Z的焰色呈黃色。
(1)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式:__________________
(2)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時,以Cu為陽極電解A的水溶液電解反應方程式為 。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】向含SO、Fe2+、Br-、I-各0.1 mol的溶液中通入標準狀況下的Cl2,通入Cl2的體積和溶液中相關(guān)離子的物質(zhì)的量的關(guān)系圖正確的是 ( )
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【題目】某同學幫助水質(zhì)檢測站配制480 mL 0.5 mol·L-1NaOH溶液以備使用。
(1)該同學應選擇________mL的容量瓶。使用容量瓶前必須進行的一步操作是______________
(2)其操作步驟如下圖所示,則如圖操作應在下圖中的____________(填選項字母)之間。
A.②與③ B.①與② C.④與⑤
(3)該同學應稱取NaOH固體________g
(4)下列操作對所配溶液的濃度大小有何影響?用“偏高”“偏低”或“無影響”填空:
①定容時俯視刻度線: ;
②搖勻后,液面低于刻度線,沒有再加水: ;
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【題目】下列反應的離子方程式書寫正確的是
A. 氨氣溶于醋酸溶液:NH3+H+→NH4+
B. 將硫化氫氣體通入足量氫氧化鈉溶液中,H2S+2OH-→S2-+2H2O
C. 向氯化亞鐵溶液中加入溴水:Fe2++Br2→Fe3++2Br-
D. 碳酸氫鈉溶液中加入足量的石灰水:2HCO3-+Ca2++2OH-→CaCO3↓+CO32-+2H2O
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【題目】與純水的電離相似,液氨中也存在著微弱的電離:2NH3 NH4++NH2-.據(jù)此判斷,以下敘述錯誤的是
A.液氨中含有NH3、NH4+、NH2-等粒子
B.一定溫度下液氨中c(NH4+)·c(NH2-)是一個常數(shù)
C.液氨達到電離平衡時c(NH3)=c(NH4+)=c(NH2-)
D.只要不加入其他物質(zhì),液氨中c(NH4+)=c(NH2-)
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