Question

【題目】【化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】原子序數(shù)依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素，核電荷數(shù)均小于36。已知X的一種1∶2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵，且所有原子共平面；Z的L層上有2個(gè)未成對(duì)電子；Q原子的s能級(jí)與p能級(jí)電子數(shù)相等；R單質(zhì)是制造各種計(jì)算機(jī)、微電子產(chǎn)品的核心材料；T處于周期表的ds區(qū)，原子中只有一個(gè)未成對(duì)電子。

(1)Y原子核外共有________種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，基態(tài)T原子有________種不同能級(jí)的電子。

(2)X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_______(用元素符號(hào)表示)。

(3)由X、Y、Z形成的離子ZXY－與XZ2互為等電子體，則ZXY－中X原子的雜化軌道類型為_(kāi)_________________。

（4）Z與R能形成化合物甲，1 mol甲中含________ mol化學(xué)鍵，甲與氫氟酸反應(yīng)，生成物的分子空間構(gòu)型分別為_(kāi)________________________。

(5)G、Q、R氟化物的熔點(diǎn)如下表，造成熔點(diǎn)差異的原因?yàn)開(kāi)__________________。

氟化物	G的氟化物	Q的氟化物	R的氟化物
熔點(diǎn)/K	993	1 539	183

（6）向T的硫酸鹽溶液中逐滴加入Y的氫化物的水溶液至過(guò)量，反應(yīng)過(guò)程中的離子方程式

為________________________；________________________。

(7)X單質(zhì)的晶胞如圖所示，一個(gè)X晶胞中有________個(gè)X原子；

若X晶體的密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞的體積為_(kāi)_______ cm3 (用代數(shù)式表示)。

Answer 1

【答案】(1)7(1分) 7(1分) (2)C＜O＜N(1分) (3)sp雜化(1分)

(4)4(1分) SiF4為正四面體形(1分)、H2O為V形(1分)

(5)NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)最低；Mg2＋的半徑比Na＋的半徑小、電荷數(shù)多，晶格能：MgF2＞NaF，故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高(2分)

(6)Cu2＋＋2NH3·H2O===Cu(OH)2↓＋2NH (2分)、

Cu(OH)2＋4NH3===[Cu(NH3)4]2＋＋2OH－(2分) (7)8 (1分) 96/ρNA(1分)

【解析】

試題分析：X的一種氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵，說(shuō)明分子里有雙鍵或參鍵，X的一種氫化物為1：2型且所有原子共平面，所以X應(yīng)為C元素，它的1：2型氫化物為乙烯；Z的L層上有2個(gè)未成對(duì)電子，即核外電子排布為1s22s22p2或1s22s22p4，X、Y、Z原子序數(shù)依次增大，所以Z為O元素，且Y為N元素；Q原子s能級(jí)與p能級(jí)電子數(shù)相等，則Q的核外電子排布為1s22s22p4或1s22s22p63s2，由于Q的原子序數(shù)比氧大，所以Q的電子排布為1s22s22p63s2，即Q為Mg；而G為金屬元素，且原子序數(shù)介于氧和鎂元素之間，所以G為Na；R單質(zhì)是制造各種計(jì)算機(jī)、微電子產(chǎn)品的核心材料，則R為Si；T處于周期表的ds區(qū)，原子中只有一個(gè)未成對(duì)電子，價(jià)電子排布為3d104s1，故T為Cu；

(1)Y為N元素，核外電子排布式為1s22s22p3，所以7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；T為Cu元素，它的核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1，所以它有7個(gè)能級(jí)；

(2)C、N、O位于元素周期表同一周期，同周期隨原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢(shì)，但N元素原子2p能級(jí)容納3個(gè)電子，為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能：C＜O＜N；

(3)OCN-與CO2互為等電子體，所以它們結(jié)構(gòu)相似，OCN-中C原子與O、N原子之比分別形成2對(duì)共用電子對(duì)，沒(méi)有孤電子對(duì)，所以碳的雜化方式為sp雜化；

(4)Z與R能形成化合物甲為二氧化硅，在二氧化硅晶體中，每個(gè)硅原子周圍有四個(gè)Si-O鍵，所以1mol二氧化硅中含有4molSi-O鍵；SiO2與HF反應(yīng)的方程式為：SiO2+4HF=SiF4+2H2O，其中SiF4中硅原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為：4+=4，沒(méi)有孤對(duì)電子，所以SiF4的空間構(gòu)型為正四面體、H2O為V形；

(5)在NaF、MgF2、SiF4中，NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)最低，Mg2+的半徑比Na+的半徑小，且Mg2+電荷數(shù)高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高；

(6)向硫酸銅溶液中逐滴加入氨水溶液至過(guò)量，反應(yīng)生成四氨合銅絡(luò)離子，反應(yīng)的離子方程式為：Cu2++4NH3．H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O；

(7)碳單質(zhì)的晶胞為，晶胞中含有C原子數(shù)目為4+8×1/8+6×1/2=8，C原子與周圍4個(gè)原子形成正四面體，正四面體中心C原子與頂點(diǎn)碳原子相鄰，距離最近，晶胞質(zhì)量為8×12/NAg，晶體的密度為pg/cm3，則晶胞的體積為(8×12/NAg)÷(pg/cm3)=96/ρNA。