Question

含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導(dǎo)纖維，C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D．
（1）在元素周期表中，A位于

 

族，與A同族但相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為

 

，A與B在原子的電子層結(jié)構(gòu)上的相同點(diǎn)是

 

．
（2）易與C發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的酸是

 

，反應(yīng)的化學(xué)方程式是

 

．
（3）將C與純堿混合高溫熔融時(shí)也發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成D，同時(shí)還生成B的最高價(jià)氧化物E；將全部的E與全部的D在足量的水中混合后，又發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成含A的化合物F．
①寫(xiě)出生成D和F的化學(xué)反應(yīng)方程式：

 

．
②要將純堿高溫熔化，下列坩堝中可選用的是

 

．
A．普通玻璃坩堝  B．石英玻璃坩堝C．氧化鋁坩堝  D．鐵坩堝．

Answer 1

考點(diǎn)：無(wú)機(jī)物的推斷

專(zhuān)題：

分析：含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料，則A為Si，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導(dǎo)纖維，則C為SiO₂，C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D為Na₂SiO₃，
（1）Si位于第三周期第ⅣA族；與A同族但相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素B為C；B元素的原子最外層電子數(shù)與Si相同，二者最外層電子數(shù)相同；
（2）二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅與水；
（3）①B元素的原子最外層電子數(shù)與Si相同，二者最外層電子數(shù)相同，相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素，則B為C，①由題目信息可知，二氧化碳與碳酸鈉在高溫條件下反應(yīng)生成硅酸鈉與二氧化碳；
②普通玻璃坩堝、石英玻璃坩堝、瓷坩堝都含有二氧化硅，高溫下能與碳酸鈉反應(yīng)．

解答： 解：含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料，則A為Si，含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料--光導(dǎo)纖維，則C為SiO₂，C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D為Na₂SiO₃，
（1）Si位于第三周期第ⅣA族；與A同族但相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素B為C，其原子結(jié)構(gòu)示意圖為；B元素的原子最外層電子數(shù)與Si相同，二者最外層電子數(shù)相同；
故答案為：第ⅣA；；二者最外層電子數(shù)相同；
（2）二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅與水，反應(yīng)方程式為：SiO₂+4HF═SiF₄↑+2H₂O，
故答案為：氫氟酸；SiO₂+4HF═SiF₄↑+2H₂O；
（3）①B元素的原子最外層電子數(shù)與Si相同，二者最外層電子數(shù)相同，相對(duì)原子質(zhì)量比A小的元素，則B為C，①由題目信息可知，二氧化碳與碳酸鈉在高溫條件下反應(yīng)生成硅酸鈉與二氧化碳，反應(yīng)方程式為：SiO₂+Na₂CO₃

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑，
故答案為：SiO₂+Na₂CO₃

高溫  .

Na₂SiO₃+CO₂↑；
②普通玻璃坩堝、石英玻璃坩堝、瓷坩堝都含有二氧化硅，高溫下能與碳酸鈉反應(yīng)，故選D，
故答案為：D．

點(diǎn)評(píng)：本題考查無(wú)機(jī)物推斷、元素化合物性質(zhì)，重在考查分析能力和綜合應(yīng)用知識(shí)的能力，難度不大，注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的掌握．