Question

【題目】原子序數(shù)逐漸增大的A、B、C、D、E五種短周期主族元素的部分信息如下表：

元素代號(hào)	信息
A	原子的最外層電子數(shù)為內(nèi)層電子總數(shù)的3倍
B	金屬性最強(qiáng)的短周期元素
C	原子的最外層電子數(shù)是次外層的
D	原子是最外層電子數(shù)A原子的最外層電子數(shù)的一半
E	最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是最強(qiáng)的無(wú)機(jī)酸

請(qǐng)根據(jù)以上信息回答問(wèn)題。

（1）C的氧化物的化學(xué)式為_______________A原子結(jié)構(gòu)示意圖為_______________。

（2）B、C、D形成的單質(zhì)的熔點(diǎn)從低到高的順序?yàn)?/span>_______________（填元素符號(hào)）。

（3）A、C所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，則晶胞中每個(gè)陽(yáng)離子周圍等距且緊鄰的陰離子數(shù)目為_______________，晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為_______________。

（4）A、D所形成晶體的熔點(diǎn)比C、E所形成晶體的熔點(diǎn)_______________（填“高”或“低”），原因是_______________

Answer 1

【答案】MgO Na<Mg<Al 6 1：1 高 離子半徑：Al3+<Mg2+、O2-<Cl-，且Al2O3中離子所帶電荷比MgCl2中多，故Al2O3中的離子鍵更強(qiáng)，晶格能更大

【解析】

A、B、C、D、E為原子序數(shù)逐漸增大的短周期主族元素，A的原子的最外層電子數(shù)為內(nèi)層電子總數(shù)的3倍，A為O元素，B的金屬性最強(qiáng)，B為Na元素，C原子的最外層電子數(shù)是次外層的，C為Mg，D原子是最外層電子數(shù)A原子的最外層電子數(shù)的一半，則D原子的最外層電子數(shù)為3，D元素為Al，E的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是最強(qiáng)的無(wú)機(jī)酸（高氯酸），則E為Cl元素，據(jù)此結(jié)合題干回答問(wèn)題。

(1)C的氧化物為氧化鎂，化學(xué)式為MgO，A原子為氧原子，其原子結(jié)構(gòu)示意圖為，故答案為：MgO；；

(2)B、C、D形成的單質(zhì)分別為Na、Mg、Al，均為金屬晶體，因?yàn)樵�子半�?/span>r(Na)>r(Mg)>r(Al)，則金屬鍵Na<Mg<Al，金屬鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，因此熔點(diǎn)Na<Mg<Al，故答案為：Na<Mg<Al；

(3) A、C所形成的化合物(MgO)的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，在MgO晶體中，O2-采用面心立方堆積，Mg2+填充在空隙中，其個(gè)數(shù)比為1:1，每個(gè)Mg2+離子周圍等距且緊鄰的O2-離子數(shù)目為6個(gè)，故答案為：6；1:1；

(4)A、D形成的化合物為Al2O3，C、E形成的化合物為MgCl2，均為離子晶體，而離子半徑：Al3+<Mg2+、O2-<Cl-，且Al2O3中離子所帶電荷比MgCl2中多，故Al2O3中的離子鍵更強(qiáng)，晶格能更大，熔點(diǎn)更高，故答案為：高；離子半徑：Al3+<Mg2+、O2-<Cl-，且Al2O3中離子所帶電荷比MgCl2中多，故Al2O3中的離子鍵更強(qiáng)，晶格能更大。