5．寫出下列物質(zhì)在水溶液中的電離方程式
（1）NaHSNaHS=Na++HS-；
（2）Al（OH）3的酸式電離Al（OH）3?H++AlO2-+H2O
（3）HFHF?H++F-．

分析 （1）硫氫化鈉為強電解質(zhì)，完全電離；
（2）Al（OH）3是兩性氫氧化物，屬于弱電解質(zhì)，部分電離；
（3）氫氟酸為弱酸，部分電離．

解答 解：（1）硫氫化鈉為強電解質(zhì)，完全電離，電離方程式：NaHS=Na++HS-；
故答案為：NaHS=Na++HS-；
（2）Al（OH）3的酸式電離，電離方程式：Al（OH）3?H++AlO2-+H2O；
故答案為：Al（OH）3?H++AlO2-+H2O；
（3）氫氟酸為弱酸，部分電離HF?H++F-；
故答案為：HF?H++F-．

點評 本題考查了電解質(zhì)電離方程式的書寫，明確電解質(zhì)強弱是解題關(guān)鍵，注意氫氧化鋁為兩性氫氧化物，存在兩種電離方式．

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

15．下列名稱都指同一物質(zhì)的是（　�。�
A．膽礬、綠礬B．蘇打、小蘇打C．生石灰、堿石灰D．燒堿、苛性鈉

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科目：高中化學 來源： 題型：填空題

16．現(xiàn)有K2SO4和H2SO4的混合溶液100mL．其中K2SO4物質(zhì)的量濃度為1mol/L，H2SO4的物質(zhì)的量濃度為0.5mol/L．現(xiàn)要求將上述混合溶液中K2SO4的濃度變?yōu)?.2mol/L，H2SO4的濃度變?yōu)?mol/L，應(yīng)加入98%（密度1.84g/mL）的硫酸51.63毫升（保留兩位小數(shù)），然后再加水稀釋到500毫升？

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

13．下列關(guān)于強、弱電解質(zhì)的敘述，正確的是（　�。�
A．濃硫酸是強電解質(zhì)
B．弱電解質(zhì)在水溶液中一定不能完全電離
C．強電解質(zhì)的水溶液中不存在分子
D．弱電解質(zhì)溶液的導(dǎo)電能力一定很弱

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

20．一定條件下，體積為1L的密閉容器中，2mol X和1mol Y進行反應(yīng)：2X（g）+Y（g）?Z（g），經(jīng)60s達到平衡，生成0.3mol Z．下列說法正確的是（　�。�
A．若增大壓強，則混合氣體的平均分子量減小
B．將容器體積變?yōu)?.5 L，Z的平衡濃度變?yōu)樵瓉淼?倍
C．以X濃度變化表示的反應(yīng)速率為0.01 mol/（L•s）
D．保持體積不變，向其中充入1 mol He氣體，平衡右移

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

10．朱自清先生在《荷塘月色》中寫道：“薄薄的青霧浮起在荷塘里…月光是隔了樹照過來的，高處叢生的灌木，落下參差的斑駁的黑影…”月光穿過薄霧所形成的種種美景的本質(zhì)原因是（　　）
A．青霧中的小水滴顆粒大小約為10-9m～10-7m
B．光是一種膠體
C．霧是一種膠體
D．發(fā)生丁達爾效應(yīng)

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

17．如圖所示，在一個容積固定的恒溫容器中，有兩個可左右滑動的密封隔板，在C、A處充入均為10g的X、Y兩種氣體，且測得二者的密度相等．當隔板停止滑動時，下列說法一定正確的是（　�。�
A．X、Y均為氣體單質(zhì)
B．X、Y的相對分子質(zhì)量相等
C．n（H2）＜n（X）=n（Y）
D．隔板停止滑動時，A、B、C三部分體積相等

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科目：高中化學 來源： 題型：填空題

14．向Ba（OH）2溶液中逐滴加入稀硫酸．請完成下列問題：
①寫出反應(yīng)的離子方程式Ba2++2OH-+2H++SO42-═BaSO4↓+2H2O．
②若緩緩加入稀H2SO4直至過量，整個過程中混合溶液中的導(dǎo)電能力（用電流強度I表示）可近似地用圖中的曲線表示是C（填序號）．

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

3．氮化硅（Si3N4）是高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，具有優(yōu)良的性能，人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、永久性模具等機械構(gòu)件．設(shè)計的合成氮化硅工藝流程如下：

（1）①電弧爐中發(fā)生的主要反應(yīng)是SiO2+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si（粗硅）+2CO↑．
②用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅，該反應(yīng)的化學方程式
為SiO2+3C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiC+2CO↑，碳化硅又稱金剛砂，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似．
（2）在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中，SiCl4大約占85%，還有Cl2等，有關(guān)物質(zhì)的沸點數(shù)據(jù)如下表：
物質(zhì)SiSiCl4Cl2
沸點/℃235557.6-34.1
提純SiCl4的主要工藝操作依次是沉降、蒸餾，其中溫度最好控制在C（填序號）．
A．略小于-34.1℃B．大于57.6℃C．略小于57.6℃D．-34.1℃
（3）①粉末狀Si3N4遇水能生成一種有刺激性氣味、常用做制冷劑的氣體和一種難溶性的酸，該反應(yīng)的方程式是Si3N4+9H2O=4NH3↑+3H2SiO3↓．
②該工藝流程中涉及的主要反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)的有2個．

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