A. | 原子晶體的熔點一定比分子晶體高 | |
B. | SO2和SO3均是非極性分子 | |
C. | PCl3分子中P-Cl的鍵角小于109°28? | |
D. | 晶體中有陽離子必有陰離子 |
分析 A.原子晶體的熔沸點較高,分子晶體熔沸點較低;
B.二氧化硫是極性分子,三氧化硫是非極性分子;
C.PCl3分子為三角錐形,孤電子對和成鍵電子之間的排斥力大于成鍵電子和成鍵之間的排斥力;
D.晶體中含有陽離子不一定含有陰離子.
解答 解:A.原子晶體的熔沸點較高,分子晶體熔沸點較低,所以原子晶體的熔點一定比分子晶體高,故A正確;
B.二氧化硫分子是V形,是極性分子,三氧化硫是平面三角形,非極性分子,故B錯誤;
C.PCl3分子為三角錐形,由于該分子中含有孤電子對,導致其鍵角小于正四面體結(jié)構的鍵角,即小于109°28′,故C正確;
D.晶體中含有陽離子不一定含有陰離子,如金屬晶體是由金屬陽離子和自由電子構成的,故D錯誤;
故選BD.
點評 本題考查晶體熔沸點比較、分子構型、分子極性及鍵角、晶體構成微粒等知識點,為高頻考點,會利用價層電子對互斥理論判斷分子空間構型,易錯選項是D,注意晶體中含有陽離子不一定含有陰離子,但含有陰離子的晶體一定含有陽離子.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 以乙烯為原料制備二氯乙烷 | B. | 甲烷與氯氣制備一氯甲烷 | ||
C. | 以銅和濃硝酸為原料生產(chǎn)硝酸銅 | D. | 用SiO2制備高純硅 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 反應O3+O═2O2的△H=E1-E3 | B. | 反應O3+O═2O2是吸熱反應 | ||
C. | △H=△H1+△H2 | D. | 氯原子沒有改變O3分解反應的歷程 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
X | Y | ||
W | Z | ||
T |
A. | X、Y、Z的原子半徑r(T)>r(W)>r(Z) | |
B. | 由X、Y、Z氫化物的熱穩(wěn)定性X>Y>Z | |
C. | X最高價氧化物對應的水化物的酸性比W的弱 | |
D. | W元素的單質(zhì)具有半導體的特性,可以用于制造光導纖維 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 完全反應后不可能有O2剩余 | |
B. | 原混合氣體中C2H4與C2H2的體積共為1.9L | |
C. | 完全反應后生成水的質(zhì)量為9 g | |
D. | 原混合氣體中CO與CH4的體積之比一定為1:1 |
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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