)工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”提純粗硅的工藝流程如下圖所示:
⑴三氯氫硅的制備原理:Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g) △H=-210 kJ/mol
工業(yè)上為了加快SiHCl3生成速率而又不降低硅的轉(zhuǎn)化率,可以采用的方法是 ▲ 。
⑵除上述反應(yīng)外,還伴隨著副反應(yīng):Si(s)+4HCl(g)SiCl4(g)+2H2(g) △H=-241 kJ/mol。已知:SiHCl3、SiCl4常溫下均為液體。
①工業(yè)上分離SiHCl3、SiCl4的操作方法為 ▲ 。
②反應(yīng)SiHCl3(g)+HCl(g) SiCl4(g)+H2(g)的△H= ▲ kJ/mol。
⑶該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 ▲ 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業(yè)流程如圖:
(1)石英砂的主要成分是 (填化學(xué)式),在制備粗硅時焦炭的作用是 。
(2)制備三氯氫硅的反應(yīng):
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應(yīng)為:
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業(yè)上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ;
寫出SiHCl3(g)和HCl反應(yīng)生成SiCl4(g)和H2的熱化學(xué)方程式 。
(3)該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 。
(4)實(shí)驗室用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 (填名稱),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是 。
②實(shí)驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時間后,再加熱C、D裝置的理由是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2011屆廣東省茂名市高三第一次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:實(shí)驗題
工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業(yè)流程如圖:
(1)石英砂的主要成分是 (填化學(xué)式),在制備粗硅時焦炭的作用是 。
(2)制備三氯氫硅的反應(yīng):
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應(yīng)為:
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業(yè)上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ;
寫出SiHCl3(g)和HCl反應(yīng)生成SiCl4(g)和H2的熱化學(xué)方程式 。
(3)該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 。
(4)實(shí)驗室用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 (填名稱),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是 。
②實(shí)驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時間后,再加熱C、D裝置的理由是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年廣東省茂名市高三第一次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:實(shí)驗題
工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業(yè)流程如圖:
(1)石英砂的主要成分是 (填化學(xué)式),在制備粗硅時焦炭的作用是 。
(2)制備三氯氫硅的反應(yīng):
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應(yīng)為:
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業(yè)上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ;
寫出SiHCl3(g)和HCl反應(yīng)生成SiCl4(g)和H2的熱化學(xué)方程式 。
(3)該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 。
(4)實(shí)驗室用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 (填名稱),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是 。
②實(shí)驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時間后,再加熱C、D裝置的理由是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
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