制備單質(zhì)硅的主要化學反應如下：
①SiO₂+2C $數(shù)學公式$ Si+2CO↑ ②Si+2Cl₂ $數(shù)學公式$ SiCl₄　 ③SiCl₄+2H₂ $數(shù)學公式$ Si+4HCl
下列對上述三個反應的敘述中，錯誤的是

A.
①③為置換反應
B.
①②③均為氧化還原反應
C.
三個反應的反應物中硅元素均被氧化
D.
①、③中的C和H₂均為還原劑

C
分析：A、置換反應是一種單質(zhì)和一種化合物反應生成另一種單質(zhì)和化合物的反應，依據(jù)概念和反應分析判斷；
B、氧化還原反應是反應前后有元素化合價變化的反應；
C、氧化還原反應中元素化合價升高失去電子被氧化；
D、氧化還原反應中元素化合價升高的物質(zhì)做還原劑；
解答：A、①SiO₂+2C $\text{[math]}$ Si+2CO↑；③SiCl₄+2H₂ $\text{[math]}$ Si+4HCl；反應符合置換反應的概念，故A正確；
B、①SiO₂+2C $\text{[math]}$ Si+2CO↑，反應前后有元素化合價變化； ②Si+2Cl₂ $\text{[math]}$ SiCl₄ 反應前后有化合價變化； ③SiCl₄+2H₂ $\text{[math]}$ Si+4HCl，反應前后有元素化合價變化；故B正確；
C、①SiO₂+2C $\text{[math]}$ Si+2CO↑反應前后硅元素化合價降低被還原； ②Si+2Cl₂ $\text{[math]}$ SiCl₄ 反應前后硅元素化合價升高，被氧化； ③SiCl₄+2H₂ $\text{[math]}$ Si+4HCl，反應前后硅元素化合價降低，被還原；故C錯誤；
D、①SiO₂+2C $\text{[math]}$ Si+2CO↑，反應中碳化合價升高座還原劑；③SiCl₄+2H₂ $\text{[math]}$ Si+4HCl，反應中氫氣中氫元素化合價升高做還原劑．故D正確；
故選C．
點評：本題考查了氧化還原反應的概念分析，特征應用，硅及其化合物性質(zhì)的應用，關(guān)鍵是元素化合價變化判斷是解題關(guān)鍵．

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相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅 ②粗硅與干燥HCl氣體反應制SiHCl₃：Si+3HCl

300℃

SiHCl₃+H₂
③SiHCl₃與過量H₂在1000～1100℃反應制得純硅．
已知SiHCl₃能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃．請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

．
（2）粗硅與HCl反應完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點33.0℃）中含有少量SiCl₄（沸點57.6℃）和HCl（沸點-84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：

分餾

．
（3）用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是

濃硫酸

，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：

使滴入燒瓶中的SiHCl₃氣化

．
②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是

英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體

，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是

高溫下，普通玻璃會軟化

，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

．
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及

先通一段時間H₂，將裝置中的空氣排盡

．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是

a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na₂SO₃溶液．

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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．請寫出晶體硅的二種用途：

計算機芯片

、

太陽能電池

．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl₃與過量H₂在1000～1100℃反應制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl₃水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請寫出其水解的化學方程式：

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl↑

．
Ⅱ．SiHCl₃ 在空氣中自燃．請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

．
（2）用SiHCl₃與過量H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置B中的試劑是

濃H₂SO₄

，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是

使SiHCl₃氣化

；
②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是

D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體

，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

；
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及

先通一段時間H₂，將裝置中的空氣排盡

；
④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：

取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e．

．

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科目：高中化學 來源： 題型：

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl₃：Si+3HCl

SiHCl₃+H₂。
③SiHCl₃與過量的H₂在1000～1100℃時反應制得純硅。
已知SiHCl₃（沸點33.0℃）能與H₂O強烈反應，在空氣中易自燃。
請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學方程式為____________________。
（2）用SiHCl₃與過量的H₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應的化學方程式為_______________。
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是_____________。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na₂SO₃溶液

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科目：高中化學 來源：2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學試卷（帶解析） 題型：填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請寫出晶體硅的二種用途：______、______
制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應制得SiHCl₃(常溫下為液態(tài)，易揮發(fā))
③SiHCl₃與過量Ｈ₂在1000～1100℃反應制得純硅。
已知:Ⅰ.SiHCl₃水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請寫出其水解的化學方程式：___________。
Ⅱ.SiHCl₃在空氣中自燃。請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學反應方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。
（2）用SiHCl₃與過量Ｈ₂反應制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是______________，
②反應一段時間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　　　　　　　　　_　　，
裝置Ｄ中發(fā)生反應的化學方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　　___　　，
③為保證制備純硅實驗的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性，控制好反應溫度
以及　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　_____________　，
④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。