已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩個(gè)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒有相同的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層電子均充滿。
請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問題(答題時(shí),A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開_____________________。
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)________(填“高”或“低”),理由是
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
(3)F的核外電子排布式是______________________________,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為__________。
(4)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示(其中A顯-3價(jià)),則其化學(xué)式為
____________。(每個(gè)球均表示1個(gè)原子)
(5)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無機(jī)非金屬材料,則其化學(xué)式為____________________,其晶體中所含的化學(xué)鍵類型為________________,其晶體類型是____________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
2008年9月25日,“神舟”七號(hào)太空飛船被“長(zhǎng)征2號(hào)”F型火箭送入太空!吧裰邸逼咛(hào)太空飛船的外殼是一種新型結(jié)構(gòu)陶瓷材料,它的主要成分是氮化硅。氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
(1)氮化硅晶體屬于________晶體。
(2)下列物質(zhì)融化時(shí),所克服的微粒間作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的微粒間作用力相同的是________。
①單質(zhì)I2和金剛石、诰w硅和二氧化硅
③冰和干冰、芙饎偸吞蓟
(3)已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且氮原子與氮原子、硅原子與硅原子不直接相連,同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式:________。
(4)現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),可得到較高純度的氮化硅,反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列性質(zhì)適合于離子晶體的是( )
A.熔點(diǎn)1 070℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電
B.熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電
C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8℃,沸點(diǎn)444.6℃
D.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97 g·cm-3
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
參考表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題。
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | NaCl | KCl | RbCl | CsCl |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | 801 | 776 | 715 | 646 |
物質(zhì) | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.0 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的__________有關(guān),隨著__________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與__________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_________比__________的熔點(diǎn)高。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)(如右圖),在每一層內(nèi),每一個(gè)碳原子都跟其他3個(gè)碳原子相結(jié)合,據(jù)圖分析,石墨晶體中碳原子數(shù)和共價(jià)鍵數(shù)之比為( )
A.2∶3 B.2∶1
C.1∶3 D.3∶2
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論推出:金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用,叫金屬鍵。金屬鍵越強(qiáng),其金屬的硬度越大,熔、沸點(diǎn)越高,且據(jù)研究表明,一般說來金屬原子半徑越小,價(jià)電子數(shù)越多,則金屬鍵越強(qiáng)。由此判斷下列說法錯(cuò)誤的是( )
A.鎂的硬度小于鋁
B.鎂的熔、沸點(diǎn)低于鈣
C.鎂的硬度大于鉀
D.鈣的熔、沸點(diǎn)高于鉀
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
現(xiàn)有甲、乙、丙三種晶胞,如圖所示。
甲中X處于晶胞中心;乙中M處于晶胞中心;丙中A處于晶胞中心,B處于棱上,C處于頂點(diǎn)。由此可知:
(1)甲晶胞中X與Y的個(gè)數(shù)之比為________________________________________。
(2)乙晶胞中M與N的個(gè)數(shù)之比為________________________________________。
(3)丙的化學(xué)式是_______________________________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
苯分子不能使酸性KMnO4溶液褪色的原因是( )
A.分子中不存在π鍵
B.分子中存在6電子大π鍵,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定
C.分子是平面結(jié)構(gòu)
D.分子中只存在σ鍵
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