Question

【題目】太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜硅系太陽(yáng)能電池。完成下列填空：

（1）亞銅離子(Cu＋)基態(tài)時(shí)的電子排布式為____________；

（2）硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則這3種元素的第一電離能I1從大到小順序?yàn)椋ㄓ迷�素符�?hào)表示）_______________________________；用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋_________________________。

（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù))，其化合物可與具 有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3NH3 。BF3NH3中B原子的雜化軌道類型為__________，N原子的雜化軌道類型為 ______________ ，B與 N之間形成 __________________ 鍵。

（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；金剛砂晶體屬于____________（填晶體類型）在SiC結(jié)構(gòu)中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 ______________。

Answer 1

【答案】 [Ar]3d10 I1(Br）> I1(As）> I1(Se） 元素的第一電離能從左到右依次增大，而As原子最外層電子排布為4S24P3，P電子排布處于半充滿狀態(tài)，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大。 sP3 sP3 配位 原子晶體 12

【解析】（1）考查電子排布式的書寫，Cu位于第四周期IB族，因此Cu＋的基態(tài)1s22s22p63d10或[Ar]3d10；（2）本題考查第一電離能的規(guī)律和洪特規(guī)則，非金屬性越強(qiáng)，第一電離能越大，但I(xiàn)IA>IIIA、VA>VIA，因此第一電離能大小順序是I1(Br）> I1(As）> I1(Se）；當(dāng)能級(jí)電子排布處于全滿、半滿、全空，則電子相對(duì)穩(wěn)定，失去電子困難，元素的第一電離能從左到右依次增大，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p能級(jí)上電子排布處于半充滿狀態(tài)，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大；（3）考查雜化類型和化學(xué)鍵的類型，BF3中B有3個(gè)σ鍵，無(wú)孤電子對(duì)，B提供空軌道，NH3中N提供孤電子對(duì)，形成配位鍵，配位鍵為σ鍵，即B的σ鍵有4個(gè)，即雜化類型為sp3，B與N之間形成配位鍵；（4）本題考查晶體類型和晶體的結(jié)構(gòu)，金剛石為原子晶體，晶體硅也為原子晶體，SiC是金剛石中一半的C原子換成Si，同種原子間不成鍵，因此SiC為原子晶體，根據(jù)SiC的結(jié)構(gòu)，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為12。