分析 有A、B、C、D四種短周期的主族元素,它們的原子序數(shù)依次增大,其中A元素原子核外電子僅有一種原子軌道,也是宇宙中最豐富的元素,則A為氫元素;B元素原子的核外p軌道電子數(shù)比s軌道電子數(shù)少1,B原子核外電子排布為1s22s22p3,為N元素;C為金屬元素且原子核外p軌道電子數(shù)和s軌道電子數(shù)相等,原子序數(shù)大于氮元素,處于第三周期,核外電子排布為1s22s22p63s2,則C為Mg元素,D元素的原子核外所有p軌道全滿或半滿,原子序數(shù)大于Mg,則核外電子排布為1s22s22p63s23p3,則D為P元素,據(jù)此解答.
解答 解:有A、B、C、D四種短周期的主族元素,它們的原子序數(shù)依次增大,其中A元素原子核外電子僅有一種原子軌道,也是宇宙中最豐富的元素,則A為氫元素;B元素原子的核外p軌道電子數(shù)比s軌道電子數(shù)少1,B原子核外電子排布為1s22s22p3,為N元素;C為金屬元素且原子核外p軌道電子數(shù)和s軌道電子數(shù)相等,原子序數(shù)大于氮元素,處于第三周期,核外電子排布為1s22s22p63s2,則C為Mg元素,D元素的原子核外所有p軌道全滿或半滿,原子序數(shù)大于Mg,則核外電子排布為1s22s22p63s23p3,則D為P元素.
(1)C為Mg元素,基態(tài)原子核外電子排布圖為,D為P元素,基態(tài)原子核外電子排布圖:,
故答案為:;;
(2)B元素單質(zhì)為N2,電子式為,其氫化物為NH3,電子式:,
故答案為:;.
點(diǎn)評 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系、核外電子排布規(guī)律、常用化學(xué)用語,難度不大,掌握核外電子排布規(guī)律是推斷的關(guān)鍵.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | SiO2是難溶于水的酸性氧化物 | |
B. | 高溫下SiO2與碳酸鹽反應(yīng)生成CO2 | |
C. | SiO2不能與任何酸反應(yīng) | |
D. | 碳化硅(SiC)具有金剛石的結(jié)構(gòu),硬度很大 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 醛類 | B. | 酚類-OH | C. | 醛類 | D. | CH3COOH 羧酸類 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 圖1裝置用于中和熱的測定 | |
B. | 圖2裝置用于高錳酸鉀溶液滴定草酸 | |
C. | 圖3裝置用于測定氫氣的反應(yīng)速率(單位mL/s) | |
D. | 圖4裝置用于研究不同催化劑對反應(yīng)速率的影響 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | X、Y的單質(zhì)均具有較高的熔沸點(diǎn) | |
B. | Z、W形成的化合物中既含有離子鍵,有含有共價鍵 | |
C. | 原子半徑由大到小的順序:X、Y、Z | |
D. | 最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性由強(qiáng)到弱的順序:W、Y、X |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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