Question

下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．

試回答下列問題：
（1）請(qǐng)寫出元素O的外圍電子排布式

 

．
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是

 

（填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋

 

．
（3）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．
 
請(qǐng)回答：晶胞中i原子的配位數(shù)為

 

，一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：元素周期律和元素周期表的綜合應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：由元素所在周期表中的位置可知，a為H，b為L(zhǎng)i，c為C，d為N，e為O，f為F，g為Na，h為Mg，i為Al，j為Si，k為S，l為Cl，m為Ar，n為K，o為Fe，
（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d⁶4s²；
（2）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高；
（3）該類型為面心立方最密堆積，配位數(shù)=3×

1

2

×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心，則一個(gè)晶胞中Al原子的個(gè)數(shù)為8×

1

8

+6×

1

2

=4．

解答： 解：（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d⁶4s²，
故答案為：3d⁶4s²；
（2）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)度，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高，
故答案為：SiC； 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高；
（3）根據(jù)圖片知，Al單質(zhì)為面心立方最密堆積，配位數(shù)=3×

1

2

×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心，則一個(gè)晶胞中Al原子的個(gè)數(shù)為8×

1

8

+6×

1

2

=4，
故答案為：12；4．

點(diǎn)評(píng)：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及元素周期表、核外電子排布規(guī)律、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體類型與性質(zhì)等，難度中等，側(cè)重考查學(xué)生對(duì)知識(shí)運(yùn)用、分析解決問題能力，注意利用“均攤法”進(jìn)行晶胞中粒子個(gè)數(shù)的計(jì)算．