半導體材料的導電能力介于導體和絕緣體之間,其電阻受溫度影響較大.如圖甲是某種半導體材料的電阻隨溫度變化的關系圖象.根據(jù)這種半導體材料電阻的特性,小明和他的同學設計了一個電路(如圖乙),可以測定某一空間的溫度,其中電源電壓是12V,定值電阻R0的阻值為10Ω.
(1)當環(huán)境溫度為20℃時,電流表的示數(shù)是多少?
(2)電流表的讀數(shù)為0.4A時,求當時環(huán)境溫度是多少?
(3)當環(huán)境溫度為100℃時,電路中半導體電阻的電功率是多少?
分析:(1)根據(jù)環(huán)境溫度,由圖求出電阻R的大小,根據(jù)歐姆定律求出電路電流.
(2)依據(jù)電路電流大小,求出電阻R0的電壓,由串聯(lián)電路特點求出R的電壓,
由歐姆定律求出R的阻值,最后由圖象求出電阻R所對應的環(huán)境溫度.
(3)由圖象求出環(huán)境溫度為100℃時,電阻R的阻值,由歐姆定律求出電路電流,
由功率公式求出半導體電阻的電功率.
解答:解:(1)由圖象可知當t=20℃時,R=50Ω,
電阻R與R0為串聯(lián),由歐姆定律得:I=
U
R+R0
=
12V
50Ω+10Ω
═0.2A.
(2)當I=0.4A時,定值電阻R0的電壓U0=IR0=0.4A×10Ω=4V,
電阻R的電壓UR=U-U0=12V-4V=8V,
 電阻R阻值為R=
UR
I
=
8V
0.4A
=20Ω,查圖象可知當R=20Ω,t=40℃.
(3)由圖象可知當t=100℃時,R=10Ω.
電路電流I=
U
R+R0
=
12V
10Ω+10Ω
=0.6A,
半導體電阻的電功率P=I2R=(0.6A)2×10Ω=3.6W.
答:(1)當環(huán)境溫度為20℃時,電流表的示數(shù)是0.2A,
(2)電流表的讀數(shù)為0.4A時,當時環(huán)境溫度是40℃,
(3)當環(huán)境溫度為100℃時,電路中半導體電阻的電功率是3.6W.
點評:本題考查了串聯(lián)電路的特點、利用歐姆定律和電功率的公式進行分析和計算,培養(yǎng)了學生分析圖象的能力,看懂圖象和電路圖后才能準確作答.
練習冊系列答案
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(2009?大連)某些物質(zhì)在溫度很低時,電阻就變成了
.這就是超導現(xiàn)象;硅、鍺等半導體材料的導電能力比銅、鐵等金屬的導電能力
(填“強”或“弱”).

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(2012?安溪縣質(zhì)檢)半導體材料的導電能力介于導體和絕緣體之間,其電阻受溫度影響較大.下表是班上探究小組對某種半導體材料的電阻R隨溫度變化所測量的有關數(shù)據(jù).
環(huán)境溫度/℃ 20 30 40 60 80 100
半導體材料電阻R/Ω 50.0 24.9 20.0 13.2 11.1 10.0
根據(jù)這種半導體材料電阻的特性,小明和他的同學設計了一個如圖所示的電路,可以測定某一空間的溫度.使用的器材如下:半導體電阻R、電源、電流表(0~0.6A)、開關S、定值電阻R0(10Ω)、導線若干.
(1)當環(huán)境溫度為20℃時,電流表的讀數(shù)為0.2A,求電源的電壓.
(2)當電流表的讀數(shù)為0.4A時,求當時環(huán)境溫度.

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科目:初中物理 來源: 題型:

半導體材料的導電能力介于導體和絕緣體之間,其電阻受溫度影響較大.如圖甲是某種半導體材料的電阻隨溫度變化的關系圖象.如圖乙是小明和他的同學根據(jù)半導體材料這種電阻的特性自制的半導體溫度計的原理圖,利用電流表的示數(shù)來指示某一空間的溫度.已知電源電壓恒為12V,電流表的量程為0.6A,R0為定值電阻.
請你回答下列問題:
(1)定值電阻R0的作用是
保護電路
保護電路

(2)當環(huán)境溫度為20℃時,電流表的示數(shù)為0.2A,則定值電阻R0的阻值為多少?
(3)該溫度計能測量的最高溫度為多少?此時電路中消耗的電功率為多少?

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科目:初中物理 來源: 題型:

半導體材料的導電能力介于導體和絕緣體之間,其電阻受溫度影響較大.如圖所示,甲是某種半導體材料的電阻隨著溫度變化的關系圖象.根據(jù)這種半導體材料電阻的特性,小明和他的同學設計了一個電路圖乙所示,可以測定某一空間的溫度,使用的器材如下:半導體電阻R、電源(電壓恒定)、電流表(0~0.6A)、開關、定值電阻R0(10Ω)、導線若干.

(1)由圖象可知,隨著半導體電阻的溫度升高,其阻值將
變小
變小
,電流表示數(shù)將
變大
變大
.(選填“變大”、“變小”、或“不變”)
(2)定值電阻R0的作用是
保護電路
保護電路

(3)當環(huán)境溫度為40℃時,電流表的讀數(shù)為0.4A,電源的電壓
12
12
V.
(4)若電流表的讀數(shù)為0.2A,則此時的環(huán)境溫度為
20
20
℃,半導體電阻兩端的電壓為
10
10
V.

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