單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料，工業(yè)上通過(guò)以下反應(yīng)將自然界中的二氧化硅（Si02）轉(zhuǎn)化成硅（Si）：Si02+2c
 高溫 
.
 
si+2C0↑，下列分析正確的是（　�。�
A．碳表現(xiàn)出了還原性
B．碳發(fā)生了還原反應(yīng)
C．二氧化硅發(fā)生了氧化反應(yīng)
D．該反應(yīng)是分解反應(yīng)
A、碳在反應(yīng)中得到氧元素，被氧化，是還原劑，表現(xiàn)了碳的還原性；
B、碳在反應(yīng)中得到氧元素，被氧化，是還原劑，發(fā)生了氧化反應(yīng)；
C、二氧化硅在反應(yīng)中失去氧元素，被還原是氧化劑，所以二氧化硅發(fā)生了還原反應(yīng)；
D、分解反應(yīng)的反應(yīng)物是一種，生成物是多種，因此該反應(yīng)不是分解反應(yīng)．
故選A．
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8、單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（　　）

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①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．復(fù)分解反應(yīng)

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①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中，反應(yīng)①和③屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
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